Transistor mosfet N-Channel 500v 17A TO-220-3 IRFB18N50KPBF Vishay Semiconductors
Αναμένεται Σύντομα
Προβολή
Specifications
Mounting Style:Through Hole
Package/Case:TO-220-3
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:500 V
Id - Continuous Drain Current:17 A
Rds On - Drain-Source Resistance:290 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage:10 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:3 V
Qg - Gate Charge:120 nC
Minimum Operating Temperature:- 55 C
Maximum Operating Temperature:+ 150 C
Pd - Power Dissipation:220 W
Configuration:Single
Channel Mode:Enhancement
Forward Transconductance - Min:6.4 S
Fall Time:30 ns
Product Type:MOSFET
Rise Time:60 ns
Typical Turn-Off Delay Time:45 ns
Typical Turn-On Delay Time:22 ns
Unit Weight:6 g
Height:15.49 mm
Length:10.41 mm
Width:4.7 mm
Νέο
-8%
Αναμένεται Σύντομα
Ref Code: 039205
Οι ηλεκτρολυτικοί πυκνωτές είναι σταθερής χωρητικότητας και η αρχή λειτουργίας τους στηρίζεται στην..
0,25€ 0,23€
Χωρίς ΦΠΑ:0,19€
Χωρίς ΦΠΑ:0,19€
