ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΉ
Κατασκευαστής Infineon (IRF)
Τύπος τρανζίστορ N-MOSFET
Τεχνολογία HEXFET®
Πόλωση αμφιπολικό
Τάση πυρήνα - πηγής 55V
Ρεύμα αποστράγγισης 41A
Ισχύς απαγωγής 83W
Περίβλημα TO220AB
Τάση πύλης - πηγής ±20V
Αγώγιμη αντίσταση 17.5mΩ
Συναρμολόγηση THT
Φορτίο πύλης 42nC