Transistor MOSFET TO-247-3 IRFP460 LCPBF
-12%
Προβολή
Specifications
Technology: Si
Mounting Style: Through Hole
Package/Case: TO-247-3
Number of Channels: 1 Channel
Transistor Polarity: N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 500 V
Id - Continuous Drain Current: 20 A
Rds On - Drain-Source Resistance: 270 mOhms
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 2 V
Vgs - Gate-Source Voltage: 10 V
Qg - Gate Charge: 120 nC
Minimum Operating Temperature: - 55 C
Maximum Operating Temperature: + 150 C
Pd - Power Dissipation: 280 W
Configuration: Single
Channel Mode: Enhancement
Transistor Type: 1 N-Channel
Forward Transconductance - Min: 12 S
Νέο
-7%
Αναμένεται Σύντομα
Ref Code: 039690
Οι ηλεκτρολυτικοί πυκνωτές είναι σταθερής χωρητικότητας και η αρχή λειτουργίας τους στηρίζεται στην..
1,94€ 1,80€
Χωρίς ΦΠΑ:1,45€
Χωρίς ΦΠΑ:1,45€
