Transistor BD537
Προβολή
BD537 Si-N NF-L 80v. 4A. 50W TO-220 -- Transistor BD537.
Descripción:
- TRANSISTOR, NPN, TO-220
- Polaridad del transistor:NPN
- Collector-to-Emitter Breakdown Voltage:80V
- Power Dissipation Pd:50W
- DC Collector Current:6A
- DC Current Gain hFE:40
- Transistor Case Style:TO-220
- N.º of Pins:3
- SVHC:No SVHC
- Alternate Case Style:SOT-78B
- Código de aplicación:GP
- Tipo de caja:TO-220
- Current Ic @ Vce Sat:2A
- Tensión IC hFE:2A
- Max Current Ic:8A
- Max Current Ic Continuous a:6A
- Max Power Dissipation Ptot:50W
- Max Voltage Vce Sat:0,8V
- Min Gain Bandwidth ft:3MHZ
- Min Hfe:15
Descripción:
- TRANSISTOR, NPN, TO-220
- Polaridad del transistor:NPN
- Collector-to-Emitter Breakdown Voltage:80V
- Power Dissipation Pd:50W
- DC Collector Current:6A
- DC Current Gain hFE:40
- Transistor Case Style:TO-220
- N.º of Pins:3
- SVHC:No SVHC
- Alternate Case Style:SOT-78B
- Código de aplicación:GP
- Tipo de caja:TO-220
- Current Ic @ Vce Sat:2A
- Tensión IC hFE:2A
- Max Current Ic:8A
- Max Current Ic Continuous a:6A
- Max Power Dissipation Ptot:50W
- Max Voltage Vce Sat:0,8V
- Min Gain Bandwidth ft:3MHZ
- Min Hfe:15